Samsung Electronic phát triển chip nhớ DRAM ba chiều tại Mỹ
BNEWS Samsung Electronics, một trong những nhà sản xuất chip nhớ hàng đầu thế giới, đã thiết lập một cơ sở thí nghiệm nghiên cứu mới tại Mỹ nhằm phát triển chip nhớ DRAM ba chiều (3D) thế hệ mới.
Chip Samsung DRAM LPDDR5 12 GB dành cho các thiết bị di động. Ảnh: Samsung
Ngày 28/1, hãng tin Yonhap đưa tin, cơ sở thí nghiệm mới này của công ty Samsung Electronics hoạt động dưới sự quản lý của bộ phận Device Solutions America (DSA) có trụ sở tại Thung lũng Silicon, bang California của Mỹ.
Cơ sở chịu trách nhiệm giám sát sản xuất các sản phẩm bán dẫn của Samsung tại Mỹ, cũng như nghiên cứu phát triển mô hình DRAM phiên bản cải tiến để cho phép Samsung duy trì vị thế dẫn đầu thị trường chip nhớ 3D toàn cầu.
Tháng 10/2023, “gã khổng lồ” công nghệ Hàn Quốc cho biết đang phát triển các cấu trúc 3D mới cho mẫu DRAM dưới 10 nanomet có khả năng nâng cấp dung lượng chip đơn lên hơn 100 gigabits.
Năm 2013, Samsung trở thành tập đoàn đầu tiên trong lĩnh vực bán dẫn thương mại hóa thành công chip nhớ flash NAND dọc 3D, một giải pháp kết nối các ngăn đựng chip thông qua các lỗ xỏ trong không gian 3D xếp chồng lên nhau theo chiều dọc.
Tin liên quan
