SK hynix thúc đẩy công nghệ HBM thế hệ mới

Theo phân tích của Counterpoint Research công bố ngày 6/4, SK hynix đang xây dựng lợi thế công nghệ thông qua việc áp dụng giải pháp hybrid bonding tích hợp, hợp tác với Applied Materials và BE Semiconductor Industries.

 

Công nghệ này dự kiến sẽ được triển khai trong dòng HBM thế hệ thứ 8 (HBM5), với kế hoạch sản xuất hàng loạt vào giai đoạn 2029–2030, trùng với chu kỳ phát triển mới của các bộ xử lý đồ họa phục vụ AI.

Hybrid bonding cho phép kết nối trực tiếp các chip bán dẫn mà không cần sử dụng các điểm nối kim loại siêu nhỏ như phương pháp truyền thống. Nhờ đó, công nghệ này giúp giảm khoảng cách giữa các chip, hạ chiều cao xếp chồng, đồng thời cải thiện đáng kể băng thông, hiệu suất năng lượng và chất lượng tín hiệu – những yếu tố then chốt trong các hệ thống tính toán hiệu năng cao.

HBM là loại bộ nhớ xếp chồng nhiều lớp DRAM theo chiều dọc nhằm tăng tốc độ xử lý dữ liệu, đóng vai trò cốt lõi trong các ứng dụng AI và siêu máy tính. Tuy nhiên, phương pháp liên kết nén nhiệt hiện nay chỉ hỗ trợ tối đa 16 lớp, trong khi việc gia tăng số lớp tiếp tục làm phát sinh vấn đề nhiệt, giảm hiệu suất và gây nhiễu tín hiệu.

Trước nhu cầu ngày càng cao từ các khách hàng lớn như Nvidia, các nhà sản xuất chip đang đẩy nhanh chuyển đổi sang hybrid bonding nhằm vượt qua giới hạn công nghệ hiện tại. Giới chuyên gia nhận định, việc kiểm soát sớm công nghệ đóng gói tiên tiến sẽ là yếu tố quyết định vị thế cạnh tranh trong chu kỳ tăng trưởng tiếp theo của ngành bán dẫn.