SK hynix bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM 4 với công nghệ 10 nm

SK hynix cho biết dòng DRAM di động 8 Gigabit LPDDR4 thế hệ thứ tư sản xuất trên quy trình công nghệ 10 nm và sẽ sử dụng công nghệ in thạch bản cực tím (EUV).

LPDDR là bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên tiêu thụ điện năng thấp được thiết kế dành cho thiết bị di động như điện thoại thông minh (smartphone), máy tính bảng tablet hay thậm chí là máy tính xách tay (laptop).

Hãng SK hynix cho biết họ có kế hoạch cung cấp các sản phẩm DRAM di động mới nhất cho các nhà sản xuất điện thoại thông minh từ cuối năm 2021. Đây là lần đầu tiên SK hynix sử dụng thiết bị EUV để sản xuất hàng loạt sau khi áp dụng một phần cho các sản phẩm DRAM khác.

Hãng sản xuất chip nhớ lớn thứ hai thế giới có kế hoạch sử dụng công nghệ EUV cho toàn bộ quá trình sản xuất DRAM quy trình 10 nm và hãng đảm bảo sự ổn định của quy trình này.

Theo SK hynix, sản phẩm DRAM mới nhất hỗ trợ ổn định khả năng truyền tải 4266 Mbps, tốc độ truyền tải nhanh nhất trong thông số DRAM di động LPDDR4 tiêu chuẩn, và giảm 20% mức tiêu thụ điện năng./.